牛津仪器集团的一部分欧洲投注app
扩大

原子层沉积

原子层沉积(或ALD)是一种先进的沉积技术,其允许以精确控制的方式沉积几纳米的超薄膜。ALD不仅提供优异的厚度控制和均匀性,而且3D结构可以用适于的高纵横比结构覆盖3D结构。

ALD依赖于自限曲面反应,因此通常提供非常低的针孔和颗粒水平,可以有利于各种应用。2020欧洲杯比赛时间许多应用追求薄膜和界面控制和高胶片质量的水平。2020欧洲杯比赛时间等离子体的使用允许改进的薄膜性能,对其控制和各种可能的材料。独特表面预处理的灵活性允许低损坏处理。

突出了

  • 自限制原子层逐层生长
  • 适形涂层
  • 低针孔和粒子水平
  • 伤害低
  • 低温过程
  • 减少成核延迟
  • 广泛的材料和工艺
请求更多信息 下载手册

原子层沉积过程

原子层沉积通常涉及4步的循环,其重复多次,以实现所需的沉积厚度。该示例显示了Al的Ald2O.3.使用al(CH3.),(tma)和o2等离子体。

步骤1)用TMA的前体蒸汽定量衬底,其吸附并与表面反应。通过正确选择前体和参数,这种反应是自限的。

步骤2)清除所有残留前驱体和反应产物。2020欧洲杯官方平台

步骤3)低损伤远程等离子体暴露于表面具有反应性氧的表面,该反应性氧化表面和去除表面配体,该反应是由于有限数量的表面配体而自动限制。

步骤4)从腔室中吹扫反应产2020欧洲杯官方平台物。

只有步骤3在H之间变化2O用于热处理或o2等离子体。作为ALD处理沉积(亚)埃赫斯特朗·厚度的每个循环,在原子尺度获得对沉积过程的控制。

ALD工艺的第一阶段显示了前半周期

1日著重

显示吹扫TMA的ALD过程的第2阶段

清除

ALD过程的第3阶段显示第2个半周期

第二周期

ALD过程的第4阶段显示清除

清除

热退化

  • 即使在高纵横比和复杂结构中也可以实现保形涂层
  • 通过原子层沉积可以得到多种材料,例如:
    • 氧化物:
      AL.2O.3.高频振荡器,2,SiO.2,Tio.2, SrTiO3.,ta.2O.5., Gd2O.3.,zro2乔治亚州2O.3., V2O.5.,CO.3.O.4.,zno,zno:al,zno:b,2O.3.:H,WO3.,moo3.,注2O.5., NiO, MgO, RuO2
    • 氟化物:MgF2,阿尔夫3.
    • Organic-hybrid材料:aludone.
    • 氮化物:锡、棕褐色、Si3.N4.、AlN、GaN、WN、HfN、NbN、GdN、VN、ZrN
    • 金属:Pt,ru,pd,ni,w
    • 硫化物:zns,mos.2

等离子增强ald (pe-ald)

除了热ALD的益处,PEALD还允许更广泛地选择前体化学,具有增强的薄膜质量:

  • 等离子体使低温ALD工艺能够保持低的等离子体损坏
  • 消除了水作为前体的需要,减少了ALD循环之间的吹扫时间 - 特别是对于低温
  • 通过改善杂质去除的更高质量的薄膜,导致电阻率降低,密度较高,等等
  • 通过使用氢等离子体的有效金属化学
  • 控制化学计量/阶段的能力
  • 减少成核延迟
  • 等离子体表面处理
  • 某些材料可以进行腔室的等离子体清洁

具有高速率等离子体ALD SiO2的高纵横比(15:1)结构的保形涂层

采用高速率等离子体ALD SiO制备高纵横比(15:1)结构的保形涂层2

由FlexAL ALD Courtesy TUE沉积的Al2O3

Al2O3由Flexal Ald沉积 - 由埃因霍温技术大学提供

等离子体ALD的SiO2,TiO2和Al2O3的共形沉积

SiO的保形沉积2,Tio.2和Al2O3.通过血浆ALD,(CC乘4.0许可),图像库www.AtomicLimits.com,2021

ALD的主要特征

  • 由我们的工程师设置的保证程序
  • 血浆表面预处理
  • 氧化物
    • 低温加工,材料质量高
    • 掺杂和混合
  • 氮化物(FlexAL)
    • 低电阻率
    • 含氧量低,折射率高
  • 金属
    • 等离子体成核延迟低
    • 低温沉积
  • 衬底偏置:
    • 在血浆期间,ALD控制材料性质
      • 应力,密度,结晶度(和其他)
    • 在等离子体ALD到预清洁基板表面之前
      • 蚀刻al.2O.3.高频振荡器,2,SiO.2,Si.3.N4.
    • 经过等离子后,ALD可以对材料进行改性和表面性能
  • 选择有基板偏压进一步的过程控制和改善材料性能。

ALD等离子体过程图

ALD系统

我们的产2020欧洲杯官方平台品提供以下功能:

FLEXAL
ATOMFAB
加载 装载锁或盒式磁带
可集群磁带
基板 高达200mm的晶片处理和运输板上的碎片
冒泡的液体和固体前体 最多8个加水,臭氧和气体
最大前体源温度 200ºC.
MFC控制气体线路快速输送系统;1) thermal gas precursors (e.g. NH3, O2) 2) plasma gases (e.g. O2, N2, H2) 外部安装的气体豆荚最多10个
查看我们的产品2020欧洲杯官方平台

材料范围广

可以使用原子层沉积和各种方法可以保证各种材料,并由我们的工艺工程师建立。对于新的过程,我们的广泛进程知识和庞大的网络允许我们提供应该是迅速朝向强大的过程的良好起始块的起点食谱。

通常使用基于等离子体的过程,利用我们的等离子体知识和处理MFC控制气体混合物,包括有毒气体。

2D材料

Flexal2d用于ALD 2D材料

2D材料ALD也可以生长,这是一种新的发展,旨在走向高质量的MoS2薄膜。ALD化学控制有望在CMOS兼容温度下利用2D硫化物的独特特性,并在大面积(200mm晶圆)上进行精确的数字厚度控制。

金属 氟化物 硫化物
Pt alf 3 mos 2
俄文 mgf 2
氧化物 氮化物
Al 2 O 3 AlN
有限公司<子> 3 < /子> O <子> 4
Ga 2 O 3 氮化镓
hfo 2 HFN.
在<子> 2子> < / O <子> 3
李2 <子> < /子>有限公司<子> 3
moo 3
NB 2 O 5
NiO
SiO 2 Si 3 n 4
SnO <子> 2
Ta 2 O 5 晒黑
TiO <子> 2
我们<子> 3 WN.
Zno.
ZrO2.

我们很高兴向大家介绍来自埃因霍温理工大学(TU/e)的两位博士生的研究项目。作为工程科学与技术领域的领先大学,TU/e一直致力于创新工艺技术,致力于推进原子层沉积(ALD)的工业应用,这是一种先进的沉积技术,允许在原子级厚度控制下沉积超薄膜。

经过牛津仪器等离子体技术和埃因霍温理工大学15年的合作,我们继续推动ALD研欧洲投注app究和发展的边界,这是纳米制造的许多应用中发展最快的技术之一。2020欧洲杯比赛时间研究学生Karsten Arts和Marc Merkx使用了牛津仪器的FlexAL ALD系统,该系统具有远程感应耦合等离子体欧洲投注app源,实现了高质量的沉积。

欧洲投注app牛津仪器ALD设备优势

我们的原子层沉积设备建立在十年的经验中。主要功能包括牛津仪器系统包括:欧洲投注app

下载手册
联系我们的ALD专家

用于HVM的原子炉ald系统

节奏|性能|等离子体

AtomFab是市场上最快的远程等离子ALD系统,专为制造GaN HEMT和RF器件而设计。

  • 竞争首席运营官
  • 快速,易于维护
  • 优异的薄膜均匀性
  • 高材料质量
  • 低衬底损坏
下载手册
用于HVM的原子炉ALD系统

相关产品2020欧洲杯官方平台