电感耦合等离子体蚀刻（ICP）

ICP蚀刻技术是一种先进的蚀刻技术，具有高刻蚀速率、高选择性和低损伤处理的特点。由于等离子体可以保持在低压下，因此也提供了良好的剖面控制。

当眼镜蛇^®ICP源产生均匀的高密度等离子体，能够在低压下工作。基片直流偏压由单独的射频发生器独立控制，允许控制离子能量，根据特定的工艺要求提供卓越的结果。

白皮书

ICP蚀刻系统技术图

重点福利

独特的宽温度范围电极从-150ºC到+400ºC，范围广泛的工艺解决方案，广泛的材料和设备
通过高离子密度（> 1011cm3）和高基团密度实现的高蚀刻速率
源设计为优秀的交叉晶圆均匀性
控制通过低离子能量实现的选择性和损坏
在低压处理下，具有高密度的活性物质，具有良好的剖面控制能力
通过单独的基板DC偏置控制独立控制离子能量

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2020欧洲杯比赛时间

用于LED或激光器和电源设备的GaN蚀刻
具有光滑蚀刻表面的垂直磷化铟(InP)波导
非选择性GaAs/AlGaAs，实现了VCSEL的光滑侧壁
精确VCSEL MESA蚀刻具有出色的蚀刻深度控制
高选择性GaAs/AlGaAs用于光电子学
波导的氧化物蚀刻
失败分析应用程序，删除：2020欧洲杯比赛时间
- 各向同性聚酰亚胺和各向同性氮化物（钝化），
- 各向异性氧化物（IMD / ILD）
- 氧化性能
- Al和Cu
- 背面散装si

特性

独立的射频和ICP发生器提供了对离子能量和离子密度的独立控制，实现了高工艺灵活性
化学和离子诱导的蚀刻
也可以在RIE模式下运行某些低蚀刻速率应用2020欧洲杯比赛时间

可用于ICP-CVD模式下的沉积
高导泵浦端口提供高气体吞吐速度最快
静电屏蔽消除电容耦合，减少对设备的电损伤，减少室粒子
以夹紧和氦冷却为标准，提供了良好的温度控制和宽温度范围的选择

具有光滑侧壁和干净表面的InP的ICP蚀刻

InP的ICP蚀刻，显示光滑的侧壁和干净的蚀刻表面

使用CR掩模的SiO2波导的ICP蚀刻

使用CR掩模的SiO2波导的ICP蚀刻

硬件

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 100	PlasmApro Polaris.
电极的大小	240毫米
加载	打开负荷	装入锁或盒式磁带	装入锁或盒式磁带
晶圆尺寸	高达50mm(2”)*	200毫米	200毫米
MFC控制的气体管道	8或12管路气箱可用	3-5紧密耦合的气体管道，可选择8-12外部	8或12管路气箱可用
晶片级温度范围	-150 - 400ºC

请求ICP蚀刻系统定价

ICP刻蚀系统

Plasmapro 80 ICP.

PlasmaPro 100眼镜蛇ICP

PlasmApro 100 Polaris ICP

PlasmaPro 80

优异的晶片温度均匀性
容纳晶圆，高达200毫米
优化电极冷却

Plasmapro 100 Cobra.

高密度的活性物种
宽温度范围电极，-150°C至400°C
适用于各种市场

100年PlasmaPro北极星

高通量和卓越的蚀刻结果
高密度等离子体蚀刻源
增强的离子控制和均匀性

下载PlasmaPro 80宣传册

下载PlasmApro 100宣传册

下载北极星小册子

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