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PECVD是一种成熟的技术，用于沉积各种薄膜。许多类型的设备需要PECVD以创造高质量的钝化或高密度掩模。
我们的PECVD流程模块专门设计用于产生优异的均匀性和高速率膜，控制膜性质，例如折射率，应力，电特性和湿化学蚀刻速率。我们的等离子体清洁过程具有终点控制器去除或减少对物理/化学室清洁的需求。
| PlasmaPro 80 | Plasmapro 800. | PlasmaPro 100 | |
| 电极的大小 | 240毫米 | 460毫米 | 240毫米 |
| 基板 | 直径可达240mm，多片或小片 | 直径高达460毫米，多晶片或小块 | 直径高达200毫米，具有用于多晶片或小块的载体选项 |
| 掺杂物 | 不 | 不 | 各种掺杂剂，包括PH3, 3B2 H6, GeH4 |
| 液体前体 | 不 | 是的(teo) | 不 |
| MFC控制的气体管道 | 4、8路或12路燃气箱可用 | ||
| 用于应力控制的RF切换 | 是的 | ||
| 晶片级温度范围 | 20°C至400°C | 标准20°C至400°C，可选最多1200°C | 标准20°C至400°C |
| Insitu公司等离子清洗 | 是的。端点可用于确保最佳清洁时间 | ||
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