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扩张

活性离子蚀刻(RIE)

反应离子蚀刻(RIE)是一种简单的操作和经济的解决方案,一般等离子体蚀刻。单个射频等离子体源决定了离子密度和能量。

我们的RIE模块提供各向异性干蚀刻
广泛的过程范围。


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强调

蚀刻过程的多种选择:

  • 化学蚀刻-各向同性,速度快
  • 离子诱导蚀刻-各向异性,介质速率
  • 物理蚀刻 - 各向异性,慢速
  • 半导体去处2020欧洲杯比赛时间理和故障分析中的广泛应用
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RIE特点:

  • 用于快速和一致蚀刻的固态RF发电机和关闭耦合匹配网络
  • 全区域工艺气体入口喷头,用于均匀气体分配
  • 电极为-150ºC的温度至+400ºC
  • 泵送能力高,工艺压力窗口宽
  • 带He背面冷却的晶圆夹紧可用于最佳晶圆温度控制

可以蚀刻各种材料,包括:

  • 介电材料(SIO2,罪恶X等)。
  • 硅基材料(Si, a-Si, polysi)
  • III-V材料(GaAs,InP,GaN等)
  • 溅射金属(Au,pt,ti,ta,w等)
  • 菱形碳(DLC)
PlasmaPro 80
Plasmapro 800.
PlasmaPro 100
电极的大小 240毫米 460毫米 240毫米
装载 打开负荷
装载锁定或盒式磁带
基板 高达240毫米
高达460mm.
200mm带载体可用于多晶片或小片
MFC受控汽油 8或12管路气箱可用
晶片级温度范围 -150°C到400°C
10°C到80°C -150°C到400°C
他背部冷却选项 是的 是的
ICP选项 是的 是的
聚焦的等离子体 是的

我们有幸与伦敦大学学院博士后Oscar Kennedy博士和伦敦大学学院高级研究员Wing Ng博士讨论了他们最新的研究项目,以及他们如何使用我们的PlasmaPro®100 RIE系统。

奥斯卡·肯尼迪博士使用了等离子体Pro RIE系统来通过蚀刻超导NBN膜来产生超导电路,而Dr Wing NG使用了RIE系统,以精确地图案在一对波导之间的平滑侧壁进行精确地图案,用于基于芯片的光学缓冲器之间的一对波导之间的光滑侧壁。阅读案例研究要学习更多的知识。

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RIE系统